IPA60R099C6XKSA1

IPA60R099C6XKSA1 Infineon Technologies


2392333345376210infineon-ipa60r099c6-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a30432313ff5e012394.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+349.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA60R099C6XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA60R099C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37.9 A, 0.09 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 37.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPA60R099C6XKSA1 за ціною від 240.38 грн до 465.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPA60R099C6XKSA1 IPA60R099C6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 2392333345376210infineon-ipa60r099c6-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a30432313ff5e012394.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
31+376.19 грн
Мінімальне замовлення: 31
IPA60R099C6XKSA1 IPA60R099C6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPA60R099C6_DS_v02_03_EN-3164045.pdf MOSFET N-Ch 600V 38A TO220FP-3 CoolMOS C6
на замовлення 460 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+440.18 грн
10+ 390.65 грн
25+ 316.61 грн
100+ 301.44 грн
250+ 290.89 грн
500+ 264.5 грн
2500+ 256.59 грн
IPA60R099C6XKSA1 IPA60R099C6XKSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0004583373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA60R099C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37.9 A, 0.09 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+465.43 грн
10+ 381.07 грн
25+ 355.17 грн
100+ 303.01 грн
500+ 240.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPA60R099C6XKSA1 IPA60R099C6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPB60R099C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a30432313ff5e012394d25bd3069e Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPA60R099C6XKSA1 IPA60R099C6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 2392333345376210infineon-ipa60r099c6-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a30432313ff5e012394.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній