IPB025N10N3GATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 170.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB025N10N3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB025N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm.
Інші пропозиції IPB025N10N3GATMA1 за ціною від 199.9 грн до 610.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB025N10N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V |
на замовлення 2955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IPB025N10N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPB025N10N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 61000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPB025N10N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 61000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPB025N10N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IPB025N10N3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Power dissipation: 300W Case: PG-TO263-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1360 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPB025N10N3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Power dissipation: 300W Case: PG-TO263-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1360 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPB025N10N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V |
на замовлення 2955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IPB025N10N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IPB025N10N3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB025N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm |
на замовлення 14200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPB025N10N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IPB025N10N3GATMA1 Код товару: 133145 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||
|
|
IPB025N10N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |