IPD50R520CP

IPD50R520CP Infineon Technologies


Infineon-IPD50R520CP-DS-v02_02-EN-522844.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 550V 7.1A DPAK-2 CoolMOS CP
на замовлення 358 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD50R520CP Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 7.1A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 66W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPD50R520CP

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD50R520CP Виробник : INFINEON IPD50R520CP.pdf
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPD50R520CP
Код товару: 133480
IPD50R520CP.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPD50R520CP IPD50R520CP Виробник : Infineon Technologies IPD50R520CP.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 7.1A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
товар відсутній