IRF100B202

IRF100B202 Infineon Technologies


infineon-irf100b202-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1918 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+48.1 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF100B202 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF100B202 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 0.0072 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 97A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 221W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IRF100B202 за ціною від 39.05 грн до 139.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF100B202 IRF100B202 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf100b202-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
160+71.63 грн
201+ 57.17 грн
245+ 46.77 грн
250+ 44.89 грн
500+ 40.82 грн
1000+ 39.05 грн
Мінімальне замовлення: 160
IRF100B202 IRF100B202 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf100b202-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+72.7 грн
10+ 58.02 грн
100+ 47.46 грн
250+ 45.56 грн
500+ 41.43 грн
1000+ 39.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF100B202 IRF100B202 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRF100B202.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 221W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+80.65 грн
6+ 68.02 грн
17+ 50.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF100B202 IRF100B202 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRF100B202.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 221W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+96.78 грн
5+ 84.77 грн
17+ 60.19 грн
45+ 56.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF100B202 IRF100B202 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF100B202_DataSheet_v01_01_EN-3362964.pdf MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 2286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.66 грн
10+ 94.06 грн
100+ 65.04 грн
500+ 57.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF100B202 IRF100B202 Виробник : INFINEON INFN-S-A0012732550-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF100B202 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 0.0072 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+125.05 грн
10+ 74.73 грн
100+ 49.8 грн
500+ 45 грн
1000+ 41.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF100B202 IRF100B202 Виробник : Infineon Technologies irf100b202.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da4ec9187e Description: MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4476 pF @ 50 V
на замовлення 3044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+139.85 грн
10+ 111.65 грн
100+ 88.85 грн
500+ 70.55 грн
1000+ 59.86 грн
2000+ 56.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF100B202 IRF100B202 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf100b202-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF100B202 IRF100B202
Код товару: 167969
irf100b202-1228203.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 97 A
Rds(on), Ohm: 8,6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4476/77
Монтаж: THT
товар відсутній
IRF100B202 IRF100B202 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf100b202-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній