IRF2907ZPBF

IRF2907ZPBF Infineon Technologies


infineon-irf2907z-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+96.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF2907ZPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 160A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF2907ZPBF за ціною від 85.77 грн до 270.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF2907ZPBF IRF2907ZPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf2907z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
66+178.6 грн
75+ 157.23 грн
80+ 147.37 грн
100+ 117.94 грн
500+ 105.64 грн
1000+ 93.35 грн
2000+ 85.77 грн
Мінімальне замовлення: 66
IRF2907ZPBF IRF2907ZPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf2907z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+181.11 грн
10+ 159.44 грн
25+ 149.44 грн
100+ 119.6 грн
500+ 107.12 грн
1000+ 94.66 грн
2000+ 86.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF2907ZPBF IRF2907ZPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf2907zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+193.89 грн
3+ 161.56 грн
7+ 118.43 грн
19+ 111.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF2907ZPBF IRF2907ZPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF2907Z_DataSheet_v01_01_EN-3362882.pdf MOSFET MOSFT 75V 170A 4.5mOhm 180nC
на замовлення 2418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+208.55 грн
10+ 175.34 грн
25+ 145.9 грн
100+ 122.89 грн
500+ 111.72 грн
1000+ 100.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF2907ZPBF IRF2907ZPBF Виробник : Infineon Technologies irf2907zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ded98f1902 Description: MOSFET N-CH 75V 160A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
на замовлення 3268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+223.22 грн
10+ 180.32 грн
100+ 145.83 грн
500+ 121.66 грн
1000+ 104.17 грн
2000+ 98.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF2907ZPBF IRF2907ZPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012732324-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF2907ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 0.0045 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+225.59 грн
10+ 163.67 грн
100+ 137.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF2907ZPBF IRF2907ZPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf2907zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 64 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+232.67 грн
3+ 201.33 грн
7+ 142.12 грн
19+ 133.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF2907ZPBF IRF2907ZPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf2907z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
44+270.69 грн
48+ 243.52 грн
54+ 218.3 грн
100+ 191.79 грн
200+ 176.72 грн
500+ 150.52 грн
1000+ 138.05 грн
2000+ 126.4 грн
3000+ 120.58 грн
Мінімальне замовлення: 44
IRF2907ZPBF
Код товару: 125164
irf2907zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ded98f1902 Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF2907ZPBF IRF2907ZPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf2907z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній