Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF3808PBF
IRF3808PBF

IRF3808PBF

irf3808pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dff39e196a
Код товару: 33009
Виробник: IR
Uds,V: 75 V
Idd,A: 140 A
Rds(on), Ohm: 0,007 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150
Монтаж: THT
у наявності 36 шт:
10 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
1+74 грн
10+ 68 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF3808PBF IR

  • MOSFET, N, 75V, 140A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:75V
  • Cont Current Id:140A
  • On State Resistance:0.007ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.45`C/W
  • Max Voltage Vds:75V
  • On State resistance @ Vgs = 10V:7ohm
  • Power Dissipation:330W
  • Power Dissipation Pd:330W
  • Pulse Current Idm:550A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

Інші пропозиції IRF3808PBF за ціною від 70.98 грн до 196.1 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3808-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 170000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+98.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3808-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+111.96 грн
10+ 103.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf3808.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+134.91 грн
4+ 112.95 грн
10+ 86.26 грн
26+ 81.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3808-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
84+138.74 грн
102+ 114.48 грн
105+ 111.57 грн
Мінімальне замовлення: 84
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3808-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+145.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf3808.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+161.9 грн
3+ 140.76 грн
10+ 103.51 грн
26+ 97.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : Infineon Technologies irf3808pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dff39e196a Description: MOSFET N-CH 75V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+175.59 грн
50+ 135.75 грн
100+ 111.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF3808_DataSheet_v01_01_EN-3363042.pdf MOSFET MOSFT 75V 140A 7mOhm 150nC
на замовлення 1832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+180.95 грн
10+ 155.69 грн
100+ 108.44 грн
500+ 92.01 грн
1000+ 76.89 грн
2000+ 73.61 грн
5000+ 70.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : INFINEON 2043044.pdf Description: INFINEON - IRF3808PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 140 A, 0.0059 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+196.1 грн
10+ 151.87 грн
100+ 121.64 грн
500+ 104.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3808-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3808-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF3808/PBF Виробник : IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF3808PBF IRF3808PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf3808-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній

З цим товаром купують

STP100N6F7
Код товару: 113452		 stp100n6f7-datasheet.pdf
STP100N6F7
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 100 A
Rds(on), Ohm: 5,6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1980/30
Монтаж: THT
у наявності: 50 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+52 грн
10+ 47 грн
IRF1407PBF
Код товару: 24062		 description irf1407pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db28c218c8 IRSDS11102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF1407PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 75 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 0,0078 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160
Монтаж: THT
у наявності: 158 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+66 грн
10+ 59.4 грн
IRF1405PBF
Код товару: 27155		 IRF1405PBF.pdf
IRF1405PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 169 A
Rds(on), Ohm: 0,0053 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 13 шт
очікується: 100 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+60.5 грн
10+ 54.5 грн
100+ 48.7 грн
Штекер стерео 3,5мм, 3 контакти
Код товару: 102370
Штекер стерео 3,5мм, 3 контакти
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Аудіо
Гніздо або штекер: Штекер
Опис: Роз’єм 3,5мм стерео.
Тип: Jack 3,5 mm
Монтаж: на кабель
Вид роз’ємів: тато
у наявності: 268 шт
очікується: 1000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+33 грн
10+ 28.5 грн
100+ 23.8 грн
4,7uF 50V ECR 5x11mm (ECR4R7M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 3138		 ECR_081225.pdf
4,7uF 50V ECR 5x11mm (ECR4R7M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 4,7 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 8754 шт
очікується: 10000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
3+2 грн
10+ 1.3 грн
100+ 0.9 грн
1000+ 0.6 грн
Мінімальне замовлення: 3