Продукція > ON SEMICONDUCTOR > IRF530A
IRF530A

IRF530A ON Semiconductor

3663290412865429irf530a.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+52.67 грн
12+ 50.03 грн
100+ 40.32 грн
Мінімальне замовлення: 11
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF530A ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 55W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF530A за ціною від 37.69 грн до 95.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF530A IRF530A Виробник : ON Semiconductor 3663290412865429irf530a.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
217+53.88 грн
269+ 43.42 грн
Мінімальне замовлення: 217
IRF530A IRF530A Виробник : onsemi / Fairchild IRF530A_D-2314285.pdf MOSFET TO-220 N-Ch A-FET
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95.31 грн
10+ 84.1 грн
100+ 57.78 грн
500+ 48.43 грн
1000+ 38.61 грн
2000+ 38.15 грн
5000+ 37.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF530A IRF530A Виробник : ON Semiconductor 3663290412865429irf530a.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IRF530A IRF530A Виробник : ONSEMI 256488.pdf Description: ONSEMI - IRF530A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -888
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
товар відсутній
IRF530A IRF530A Виробник : onsemi irf530a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
товар відсутній