на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
950+ | 45.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF530SPBF Vishay
Description: VISHAY - IRF530SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.16 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 88W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm.
Інші пропозиції IRF530SPBF за ціною від 26.01 грн до 95.1 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF530SPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF530SPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 88W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1660 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF530SPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF530SPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF530SPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 88W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1660 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF530SPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF530SPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF530SPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF530SPBF | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFET 100V N-CH HEXFET D2-PAK |
на замовлення 3206 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF530SPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF530SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.16 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm |
на замовлення 1526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF530SPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF530SPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V |
товар відсутній |