IRF5803


Infineon-IRF5803-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3e4e019b6 Виробник: IR
08+ DIP4
на замовлення 250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF5803 IR

Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF5803

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF5803
Код товару: 28228
Infineon-IRF5803-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3e4e019b6 Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
IRF5803 IRF5803 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF5803-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3e4e019b6 Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
товар відсутній