IRF6100 IOR


irf6100.pdf Виробник: IOR

на замовлення 3300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF6100 IOR

Description: MOSFET P-CH 20V 5.1A 4FLIPFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-FlipFet™, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-FlipFet™, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V.

Інші пропозиції IRF6100

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF6100 Виробник : Infineon Technologies irf6100.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.1A 4FLIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-FlipFet™
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-FlipFet™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
товар відсутній