IRF6645TRPBF

IRF6645TRPBF Infineon Technologies


infineon-irf6645-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 19200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4800+47.01 грн
Мінімальне замовлення: 4800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF6645TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF6645TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, DirectFET SJ, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: DirectFET SJ, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm.

Інші пропозиції IRF6645TRPBF за ціною від 45.86 грн до 148.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6645pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec4ff51a51 Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SJ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SJ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 25 V
на замовлення 19200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4800+49.33 грн
9600+ 45.93 грн
Мінімальне замовлення: 4800
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6645-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 19200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4800+52.71 грн
9600+ 50.97 грн
Мінімальне замовлення: 4800
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6645-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 19200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4800+65.74 грн
9600+ 60.07 грн
Мінімальне замовлення: 4800
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6645-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 6092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+73.65 грн
10+ 68.34 грн
25+ 68.06 грн
100+ 59.1 грн
250+ 52.63 грн
500+ 47.89 грн
1000+ 47.27 грн
3000+ 46.66 грн
6000+ 46.05 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012826802-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6645TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, DirectFET SJ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DirectFET SJ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 10240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+77.89 грн
250+ 65.73 грн
1000+ 52.32 грн
2000+ 45.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6645-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 6092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
145+79.32 грн
157+ 73.29 грн
175+ 63.64 грн
250+ 56.68 грн
500+ 51.57 грн
1000+ 50.91 грн
3000+ 50.25 грн
6000+ 49.59 грн
Мінімальне замовлення: 145
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012826802-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6645TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, DirectFET SJ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DirectFET SJ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 10240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+101.18 грн
50+ 77.89 грн
250+ 65.73 грн
1000+ 52.32 грн
2000+ 45.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6645pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec4ff51a51 Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SJ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SJ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 25 V
на замовлення 21762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.71 грн
10+ 90.91 грн
100+ 72.37 грн
500+ 57.47 грн
1000+ 48.76 грн
2000+ 46.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF6645_DataSheet_v01_01_EN-3363111.pdf MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SJ
на замовлення 4238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+123.4 грн
10+ 100.74 грн
100+ 69.43 грн
250+ 64.56 грн
500+ 58.6 грн
1000+ 50.22 грн
2500+ 47.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6645-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
78+148.52 грн
84+ 137.77 грн
100+ 118.23 грн
200+ 108.36 грн
500+ 92.48 грн
1000+ 75.04 грн
2000+ 72.87 грн
4800+ 69.85 грн
Мінімальне замовлення: 78
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6645-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
товар відсутній
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf6645pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.7A; 42W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 42W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4800 шт
товар відсутній
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf6645pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.7A; 42W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 42W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній