Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF6668TRPBF
IRF6668TRPBF

IRF6668TRPBF Infineon Technologies

irf6668.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+51.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF6668TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DirectFET MZ, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm.

Інші пропозиції IRF6668TRPBF за ціною від 49.03 грн до 163.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4800+51.65 грн
Мінімальне замовлення: 4800
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec96b91a64 Description: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4800+55.08 грн
Мінімальне замовлення: 4800
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4800+60.16 грн
Мінімальне замовлення: 4800
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : International Rectifier IRSDS09314-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF6668 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
на замовлення 59676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
318+61.23 грн
Мінімальне замовлення: 318
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4800+62.72 грн
Мінімальне замовлення: 4800
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
151+77.58 грн
152+ 76.99 грн
200+ 72.52 грн
1000+ 67.06 грн
2000+ 64.2 грн
4800+ 62.75 грн
Мінімальне замовлення: 151
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012827008-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 6734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+77.61 грн
500+ 63.76 грн
1000+ 50.05 грн
5000+ 49.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+91.76 грн
10+ 86.38 грн
100+ 78.75 грн
500+ 67.83 грн
1000+ 55.57 грн
2500+ 51.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
119+98.81 грн
126+ 93.02 грн
138+ 84.81 грн
500+ 73.05 грн
1000+ 59.85 грн
2500+ 55.66 грн
Мінімальне замовлення: 119
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF6668_DataSheet_v01_01_EN-3363228.pdf MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 22nC
на замовлення 5801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.15 грн
10+ 92.44 грн
100+ 69.84 грн
250+ 69.18 грн
500+ 61.21 грн
1000+ 52.97 грн
2500+ 52.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012827008-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 6734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+119.73 грн
10+ 93.87 грн
100+ 77.61 грн
500+ 63.76 грн
1000+ 50.05 грн
5000+ 49.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec96b91a64 Description: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
на замовлення 12538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+126.86 грн
10+ 101.57 грн
100+ 80.81 грн
500+ 64.17 грн
1000+ 54.45 грн
2000+ 51.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+147.3 грн
10+ 129.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+151.72 грн
10+ 136.87 грн
25+ 132.17 грн
100+ 102.73 грн
250+ 92.22 грн
500+ 74.25 грн
1000+ 59.19 грн
3000+ 54.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
72+163.39 грн
80+ 147.4 грн
82+ 142.34 грн
102+ 110.64 грн
250+ 99.31 грн
500+ 79.96 грн
1000+ 63.75 грн
3000+ 58.97 грн
Мінімальне замовлення: 72
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
товар відсутній
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
товар відсутній
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf6668pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 55A
Power dissipation: 89W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4800 шт
товар відсутній
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf6668pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 55A
Power dissipation: 89W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній