Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7309TRPBF
IRF7309TRPBF

IRF7309TRPBF Infineon Technologies

irf7309.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 23
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7309TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції IRF7309TRPBF за ціною від 13.65 грн до 84.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7309.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7309.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+22.1 грн
8000+ 21.23 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14 Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+22.7 грн
8000+ 20.82 грн
12000+ 19.86 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7309.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+23.58 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7309.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+25.4 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7309.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+27.38 грн
8000+ 26.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7309.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
394+29.59 грн
Мінімальне замовлення: 394
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS13236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 29556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+37.97 грн
500+ 29.85 грн
1000+ 24.83 грн
5000+ 22.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7309.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+44.19 грн
16+ 38.03 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7309.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+53.37 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14 Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 25595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.45 грн
10+ 43.27 грн
100+ 33.63 грн
500+ 26.75 грн
1000+ 21.79 грн
2000+ 20.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7309_DataSheet_v01_01_EN-3362942.pdf MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A
на замовлення 3546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+59.88 грн
10+ 44.89 грн
100+ 31.09 грн
500+ 27.08 грн
1000+ 22.41 грн
2000+ 21.1 грн
4000+ 20.5 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS13236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 29556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+68.49 грн
15+ 52.34 грн
100+ 37.97 грн
500+ 29.85 грн
1000+ 24.83 грн
5000+ 22.05 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7309pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+70.04 грн
10+ 34.23 грн
13+ 27.86 грн
34+ 23.55 грн
93+ 22.25 грн
500+ 21.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7309pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 562 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+84.04 грн
6+ 42.65 грн
10+ 33.43 грн
34+ 28.26 грн
93+ 26.7 грн
500+ 25.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7309.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7309.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF7309TRPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14 Транзистор польовий N+P; Udss, В = 30; Id = 4 А; Ptot, Вт = 1,4; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 15; Qg, нКл = 25 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Id2 = 3 A; SOICN-8
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+21.31 грн
32+ 19.89 грн
100+ 18.47 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRF7309TRPBF Виробник : International Rectifier Corporation irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14 (SO-8)
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF7309TRPBF (Транзистори польові N-канал) IRF7309TRPBF (Транзистори польові N-канал)
Код товару: 45192 		Виробник : IR irf7309pbf-1-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 4 А
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товар відсутній