IRF7311TRPBF
Код товару: 107584
Виробник: IRUds,V: 20 V
Idd,A: 5,3 A
Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 900/18
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності 22 шт:
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 27 грн |
10+ | 24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF7311TRPBF за ціною від 29.38 грн до 106.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF7311TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7311TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7311TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7311TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7311TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7311TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 6.6A |
на замовлення 1795 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7311TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7311TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7311TRPBF | Виробник : China replica | SOIC-8 |
на замовлення 525 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF7311TRPBF | Виробник : International Rectifier Corporation | SOIC-8 |
на замовлення 333 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF7311TRPBF | Виробник : Taiwan TY Semiconductor | SOIC-8 |
на замовлення 9340 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF7311TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF7311TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF7311TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.6A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 6.6A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF7311TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF7311TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF7311TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.6A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 6.6A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
З цим товаром купують
Li-Ion 2000mAh, 3,7V, 18650 PKCELL літій-іонний акумулятор ICR18650 10C Код товару: 186971 |
Виробник: PKCELL
Акумулятори > LiIon акумулятори
Технологія: Li-Ion
Типорозмір / габарити: 18650
Ємність: 2000 mAh
Форма: циліндрична
Напруга, V: 3,7 V
Максимальний струм розряду: 20 A
Відмінності: Без захисту
Акумулятори > LiIon акумулятори
Технологія: Li-Ion
Типорозмір / габарити: 18650
Ємність: 2000 mAh
Форма: циліндрична
Напруга, V: 3,7 V
Максимальний струм розряду: 20 A
Відмінності: Без захисту
у наявності: 21 шт
очікується:
300 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 135 грн |
10+ | 120 грн |
100+ | 108 грн |
Склотекстоліт FR-4 35/0 2,0мм 25х420мм Код товару: 164616 |
Виробник: RMT
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Склотекстоліти, фоторезист
Категорія: Склотекстоліт фольгований односторонній
Опис: FR-4фольгований односторонній, товщина 2,0 мм, товщина шару фольги 35мкм
Розмір: 25 x 420 mm
Товщина: 2,0 mm
Вид: односторонній
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Склотекстоліти, фоторезист
Категорія: Склотекстоліт фольгований односторонній
Опис: FR-4фольгований односторонній, товщина 2,0 мм, товщина шару фольги 35мкм
Розмір: 25 x 420 mm
Товщина: 2,0 mm
Вид: односторонній
у наявності: 159 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 35 грн |
10+ | 31.5 грн |
Світлодіод 3030, білий холодний, 1W EMC 3030 SMD CCT6000-6500K Opto Код товару: 130020 |
Виробник: Opto
Світлодіоди > Світлодіоди видимого спектра SMD
Колір: білий холодний
Розмір: 3030
Лінза: прозора
Падіння напруги: 3,1... 3,3 V
Сила світла: 120 lm
Кут свічення: 120°
Температура свічення: 6000...6500 K
Примітка: Потужний 1W
Світлодіоди > Світлодіоди видимого спектра SMD
Колір: білий холодний
Розмір: 3030
Лінза: прозора
Падіння напруги: 3,1... 3,3 V
Сила світла: 120 lm
Кут свічення: 120°
Температура свічення: 6000...6500 K
Примітка: Потужний 1W
товар відсутній
1N5819 Код товару: 29778 |
Виробник: YJ
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: DO-41
Зворотня напруга, Vrrm: 40 V
Прямий струм (per leg), If: 1 A
Падіння напруги, Vf: 0,6 V
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 25 A
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: DO-41
Зворотня напруга, Vrrm: 40 V
Прямий струм (per leg), If: 1 A
Падіння напруги, Vf: 0,6 V
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 25 A
товар відсутній