IRF7343TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 29.68 грн |
8000+ | 25.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7343TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7343TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції IRF7343TRPBF за ціною від 19.65 грн до 95.13 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF7343TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7343TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7343TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 8674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7343TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8 Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55/-55V Drain current: 4.7/-3.4A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50/105mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2976 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7343TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7343TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7343TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 7783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7343TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8 Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55/-55V Drain current: 4.7/-3.4A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50/105mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2976 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7343TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 55V 4.7A |
на замовлення 23772 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7343TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7343TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7343TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 20324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7343TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7343TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 68000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRF7343TRPBF | Виробник : Infineon | Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik SO8 Udss=(55; -55)V; Id=(+4,7; -3,4)A; Pdmax=2W; Rds=(0,05; 0,105) Ohm |
на замовлення 3476 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7343TRPBF | Виробник : International Rectifier Corporation | MOSFET N/P-CH 55V SOIC-8 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRF7343TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
IRF7343TRPBF Код товару: 180205 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOIC-8 Uds,V: 55 V Idd,A: 4,7/3,4 A Rds(on), Ohm: 0,043/0,095 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 740/690/24/26 Примітка: Два транзистори в одному корпусі Монтаж: SMD |
товар відсутній
|