IRF7406TRPBF

IRF7406TRPBF Infineon Technologies


irf7406.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 86 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7406TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7406TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Інші пропозиції IRF7406TRPBF за ціною від 36.69 грн до 42.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7406TRPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irf7406pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa59a51baa P-канальний ПТ; Id = 5.8 А; Ptot, Вт = 2.5; Udss, В = 30; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ 25 В; Qg, нКл = 59 @ 10 В; Rds = 45 мОм @ 2.8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOIC-8
на замовлення 83 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+42.34 грн
16+ 39.51 грн
100+ 36.69 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRF7406TRPBF IRF7406TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002542219-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7406TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IRF7406TRPBF IRF7406TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002542219-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7406TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IRF7406TRPBF IRF7406TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7406.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
IRF7406TRPBF IRF7406TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7406.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
IRF7406TRPBF IRF7406TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7406pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF7406TRPBF IRF7406TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7406pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa59a51baa Description: MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF7406TRPBF IRF7406TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7406pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa59a51baa Description: MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF7406TRPBF IRF7406TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7406pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній