IRF7465TRPBF

IRF7465TRPBF Infineon Technologies


irf7465.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+16.45 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7465TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7465TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.9 A, 0.28 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm.

Інші пропозиції IRF7465TRPBF за ціною від 17.16 грн до 82.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7465TRPBF IRF7465TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7465.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+18.87 грн
8000+ 18.45 грн
12000+ 18.27 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7465TRPBF IRF7465TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7465.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+20.32 грн
8000+ 19.87 грн
12000+ 19.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7465TRPBF IRF7465TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7465pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fef2681c08 Description: MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+23.4 грн
8000+ 21.34 грн
12000+ 19.76 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7465TRPBF IRF7465TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7465.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+31.1 грн
20+ 29.51 грн
25+ 29.25 грн
100+ 24.57 грн
250+ 22.51 грн
500+ 17.16 грн
Мінімальне замовлення: 19
IRF7465TRPBF IRF7465TRPBF Виробник : INFINEON 107894.pdf Description: INFINEON - IRF7465TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.9 A, 0.28 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 1339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+31.71 грн
500+ 23.88 грн
1000+ 21.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7465TRPBF IRF7465TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7465.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
368+31.78 грн
371+ 31.5 грн
426+ 27.44 грн
430+ 26.19 грн
542+ 19.24 грн
Мінімальне замовлення: 368
IRF7465TRPBF IRF7465TRPBF Виробник : INFINEON 107894.pdf Description: INFINEON - IRF7465TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.9 A, 0.28 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 1339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+54.25 грн
16+ 46.34 грн
100+ 31.71 грн
500+ 23.88 грн
1000+ 21.67 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRF7465TRPBF IRF7465TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7465pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fef2681c08 Description: MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 19428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62 грн
10+ 51.4 грн
100+ 35.57 грн
500+ 27.89 грн
1000+ 23.74 грн
2000+ 21.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7465TRPBF IRF7465TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7465_DataSheet_v01_01_EN-3363002.pdf MOSFET MOSFT 150V 1.9A 280mOhm 10nC
на замовлення 3379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.8 грн
10+ 57.89 грн
100+ 34.39 грн
500+ 28.66 грн
1000+ 24.44 грн
2000+ 22.14 грн
4000+ 20.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7465TRPBF IRF7465TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7465.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
142+82.25 грн
159+ 73.52 грн
194+ 60.22 грн
207+ 54.53 грн
500+ 44.91 грн
1000+ 35.63 грн
4000+ 31.55 грн
Мінімальне замовлення: 142
IRF7465TRPBF
Код товару: 126960
irf7465pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fef2681c08 Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF7465TRPBF IRF7465TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7465pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 1.9A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF7465TRPBF IRF7465TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7465pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 1.9A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній