IRF7470PBF

IRF7470PBF Infineon Technologies


irf7470pbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SOIC Tube
на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7470PBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 20 V.

Інші пропозиції IRF7470PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7470PBF IRF7470PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7470-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SOIC Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF7470PBF IRF7470PBF Виробник : Infineon Technologies irf7470pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ff2fe11c18 Description: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 20 V
товар відсутній
IRF7470PBF IRF7470PBF Виробник : Infineon / IR irf7470pbf-1732563.pdf MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 29nC
товар відсутній