Технічний опис IRF7811ATRPBF IOR
Description: MOSFET N-CH 28V 11A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V.
Інші пропозиції IRF7811ATRPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF7811ATRPBF | Виробник : IR |
 |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| IRF7811ATRPBF | Виробник : IR |
06+/07 |
на замовлення 3901 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| IRF7811ATRPBF | Виробник : IR |
SOP8 03+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| IRF7811ATRPBF | Виробник : IR |
SOP8 07+08+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| IRF7811ATRPBF | Виробник : IR |
SOP8 0747+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IRF7811ATRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 28V 11A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|
 |
IRF7811ATRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 28V 11A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|
|
|
IRF7811ATRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 28V 11A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V |
товар відсутній |