IRF7832PBF International Rectifier/Infineon
Виробник: International Rectifier/InfineonN-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 20 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 4310 @ 15; Qg, нКл = 51 @ 4,5 В; Rds = 4 мОм @ 20 A, 10 В; Ugs(th) = 2,32 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2,5; Тексп, °C = -55...+155; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 102 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 23.82 грн |
| 29+ | 22.23 грн |
| 100+ | 20.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7832PBF International Rectifier/Infineon
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V.
Інші пропозиції IRF7832PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7832PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N Tube |
товар відсутній |
|
 |
IRF7832PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N Tube |
товар відсутній |
|
|
|
IRF7832PBF | Виробник : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N Tube |
товар відсутній |
|
 |
IRF7832PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|
 |
IRF7832PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 34nC |
товар відсутній |