IRF7842PBF
Код товару: 23513
Виробник: IRКорпус: SO-8
Uds,V: 40 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,005 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4500/33
Монтаж: SMD
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF7842PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7842PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 18A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V |
товар відсутній |
|
 |
IRF7842PBF | Виробник : Infineon / IR |
MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 5mOhms 33nC |
товар відсутній |