IRF7855PBF International Rectifier/Infineon


irf7855pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c60181d2b IRSDS08103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 12; Ciss, пФ @ Uds, В = 1560 @ 25; Qg, нКл = 26; Р, Вт = 2,5 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 10 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+62.4 грн
100+ 38.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7855PBF International Rectifier/Infineon

Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF7855PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7855PBF Виробник : International Rectifier Corporation irf7855pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c60181d2b IRSDS08103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFET N-CH 100V 8.3A SOIC-8
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF7855PBF (транзистор) IRF7855PBF (транзистор)
Код товару: 49589
Виробник : Infineon irf7855pbf.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 12 А
Rds(on), Ohm: 9,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1560/26
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRF7855PBF IRF7855PBF Виробник : Infineon Technologies irf7855pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c60181d2b Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF7855PBF Виробник : International Rectifier IRSDS08103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF7855PBF IRF7855PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7855_DataSheet_v01_01_EN-3166211.pdf MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 9.4mOhms 26nC
товар відсутній