IRF7855PBF International Rectifier/Infineon
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 12; Ciss, пФ @ Uds, В = 1560 @ 25; Qg, нКл = 26; Р, Вт = 2,5 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 12; Ciss, пФ @ Uds, В = 1560 @ 25; Qg, нКл = 26; Р, Вт = 2,5 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 62.4 грн |
100+ | 38.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7855PBF International Rectifier/Infineon
Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF7855PBF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IRF7855PBF | Виробник : International Rectifier Corporation | MOSFET N-CH 100V 8.3A SOIC-8 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||
IRF7855PBF (транзистор) Код товару: 49589 |
Виробник : Infineon |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 60 V Idd,A: 12 А Rds(on), Ohm: 9,4 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1560/26 Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
||
IRF7855PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||
IRF7855PBF | Виробник : International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||
IRF7855PBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 9.4mOhms 26nC |
товар відсутній |