Продукція > IRF > IRF7901D1-TR

IRF7901D1-TR


Виробник:

на замовлення 875 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7901D1-TR

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 16V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO.

Інші пропозиції IRF7901D1-TR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7901D1TR Виробник : IOR irf7901d1.pdf
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7901D1TR Виробник : IOR irf7901d1.pdf 2000
на замовлення 778 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7901D1TR Виробник : IOR irf7901d1.pdf SOP8
на замовлення 863 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7901D1TR Виробник : IR irf7901d1.pdf
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7901D1TR IRF7901D1TR Виробник : Infineon Technologies irf7901d1.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товар відсутній