IRF8113 IOR


IRF8113.pdf Виробник: IOR
01+ SOP
на замовлення 498 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF8113 IOR

Description: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V.

Інші пропозиції IRF8113

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF8113 Виробник : IOR IRF8113.pdf 09+
на замовлення 2518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF8113 Виробник : IR IRF8113.pdf
на замовлення 6215 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF8113 Виробник : IR IRF8113.pdf 05+ SOP-8;
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF8113 Виробник : IR IRF8113.pdf 09+
на замовлення 2482 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF8113 IRF8113 Виробник : Infineon Technologies IRF8113.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V
товар відсутній