IRF840 Vishay


irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf IRF840.pdf Виробник: Vishay
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=500V; Id=8A; Pdmax=125W; Rds=0,85 Ohm
на замовлення 249 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+74.84 грн
10+ 61.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF840 Vishay

Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF840

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF840 IRF840
Код товару: 17952
Виробник : IR IRF840.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1600/60
Монтаж: THT
товар відсутній
IRF840 IRF840 Виробник : Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRF840 IRF840 Виробник : ON Semiconductor irf840.pdf Trans MOSFET N-CH Si 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRF840 IRF840 Виробник : Vishay Siliconix irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF840 IRF840 Виробник : STMicroelectronics IRF840.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 832 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF840 IRF840 Виробник : Vishay / Siliconix irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf IRF840.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT IRF840PBF
товар відсутній
IRF840 IRF840 Виробник : STMicroelectronics stmicroelectronics_cd00000705-1204321.pdf MOSFET N-Ch 500 Volt 8 Amp
товар відсутній
IRF840 IRF840 Виробник : onsemi / Fairchild FairchildSemiconductor_1614016361442-1191853.pdf MOSFET
товар відсутній