на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 89.08 грн |
| 1600+ | 81.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF840STRLPBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF840STRLPBF за ціною від 65.54 грн до 177.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF840STRLPBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF840STRLPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF840STRLPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 500V N-CH HEXFET D2-PA |
на замовлення 4432 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF840STRLPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
на замовлення 1379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF840STRLPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IRF840STRLPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IRF840STRLPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IRF840STRLPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W Mounting: SMD Case: D2PAK; TO263 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Gate charge: 63nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 32A Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A On-state resistance: 0.85Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IRF840STRLPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W Mounting: SMD Case: D2PAK; TO263 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Gate charge: 63nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 32A Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A On-state resistance: 0.85Ω Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |