IRF8910TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 20678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 18.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF8910TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF8910TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 10 A, 10 A, 0.0107 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0107ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0107ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IRF8910TRPBF за ціною від 20.74 грн до 77.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF8910TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF8910TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF8910TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF8910TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF8910TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 6590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF8910TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 6590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF8910TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF8910TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 10 A, 10 A, 0.0107 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0107ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W euEccn: NLR Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0107ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 3187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF8910TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 10A |
на замовлення 2996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF8910TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 16129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF8910TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF8910TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 10 A, 10 A, 0.0107 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0107ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0107ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 3187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF8910TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
 |
IRF8910TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 10A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 10A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
IRF8910TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 10A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 10A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |