IRF9388TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 14.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9388TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF9388TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm.
Інші пропозиції IRF9388TRPBF за ціною від 16.45 грн до 59.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF9388TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 12A, 20V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V |
на замовлення 35400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF9388TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF9388TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF9388TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9388TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm |
на замовлення 3407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF9388TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT PCh -30V -12A 11.9mOhm 25Vgs |
на замовлення 31356 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF9388TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF9388TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 18850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF9388TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 12A, 20V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V |
на замовлення 35652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF9388TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF9388TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9388TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm |
на замовлення 3407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF9388TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF9388TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |