IRF9910TRPBF

IRF9910TRPBF Infineon Technologies


irf9910.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 10A/12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1194 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+49.08 грн
13+ 47.61 грн
25+ 47.14 грн
50+ 45 грн
100+ 39.36 грн
250+ 37.41 грн
500+ 35.27 грн
1000+ 30.16 грн
Мінімальне замовлення: 12
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF9910TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, 12A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete.

Інші пропозиції IRF9910TRPBF за ціною від 35.82 грн до 113.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF9910TRPBF IRF9910TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9910.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 10A/12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
221+52.86 грн
Мінімальне замовлення: 221
IRF9910TRPBF IRF9910TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF9910_DataSheet_v01_01_EN-1732680.pdf MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 10A
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+100.44 грн
10+ 88.43 грн
100+ 58.49 грн
250+ 58.42 грн
500+ 48.5 грн
1000+ 38.51 грн
2500+ 35.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9910TRPBF IRF9910TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9910.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 10A/12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
103+113.58 грн
Мінімальне замовлення: 103
IRF9910TRPBF IRF9910TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9910.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 10A/12A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
IRF9910TRPBF IRF9910TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf9910pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 10A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 10A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF9910TRPBF IRF9910TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611e1a61dcd Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IRF9910TRPBF IRF9910TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611e1a61dcd Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IRF9910TRPBF IRF9910TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf9910pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 10A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 10A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній