IRFB4110GPBF Infineon Technologies
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 700+ | 176.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB4110GPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 370W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IRFB4110GPBF за ціною від 121.58 грн до 274.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFB4110GPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB4110GPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 130A Power dissipation: 370W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB4110GPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 130A Power dissipation: 370W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB4110GPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 100V 180A 4.5mOhm 150nC |
на замовлення 478 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB4110GPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRFB4110GPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V |
товар відсутній |