Продукція > VISHAY > IRFBE30PBF
IRFBE30PBF

IRFBE30PBF Vishay

91118.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+42.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFBE30PBF Vishay

Description: VISHAY - IRFBE30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm.

Інші пропозиції IRFBE30PBF за ціною від 46.64 грн до 169.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFBE30PBF IRFBE30PBF Виробник : VISHAY IRFBE30PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+74.98 грн
6+ 61.51 грн
10+ 54.75 грн
16+ 50.02 грн
44+ 47.32 грн
50+ 46.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFBE30PBF IRFBE30PBF Виробник : VISHAY IRFBE30PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 559 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+89.97 грн
4+ 76.65 грн
10+ 65.7 грн
16+ 60.02 грн
44+ 56.78 грн
50+ 55.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFBE30PBF IRFBE30PBF Виробник : Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
120+96 грн
137+ 84.22 грн
Мінімальне замовлення: 120
IRFBE30PBF IRFBE30PBF Виробник : Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
115+100.58 грн
Мінімальне замовлення: 115
IRFBE30PBF IRFBE30PBF Виробник : Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+107.17 грн
10+ 88.11 грн
100+ 77.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFBE30PBF IRFBE30PBF Виробник : Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+107.31 грн
10+ 90.12 грн
100+ 80.04 грн
500+ 59.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFBE30PBF IRFBE30PBF Виробник : Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+115.56 грн
119+ 97.05 грн
134+ 86.2 грн
500+ 63.7 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFBE30PBF IRFBE30PBF Виробник : Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+136.74 грн
10+ 106.12 грн
100+ 90.24 грн
500+ 63.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFBE30PBF IRFBE30PBF Виробник : Vishay Siliconix 91118.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 2402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+139.68 грн
50+ 108.43 грн
100+ 89.21 грн
500+ 70.84 грн
1000+ 60.11 грн
2000+ 57.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFBE30PBF IRFBE30PBF Виробник : Vishay Semiconductors 91118.pdf MOSFET 800V N-CH HEXFET
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+141.57 грн
10+ 108.2 грн
100+ 83.06 грн
500+ 80.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFBE30PBF IRFBE30PBF Виробник : Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
79+147.26 грн
101+ 114.29 грн
119+ 97.18 грн
500+ 68.8 грн
Мінімальне замовлення: 79
IRFBE30PBF IRFBE30PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013276654-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBE30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+169.61 грн
10+ 117.92 грн
100+ 95.36 грн
500+ 83.14 грн
1000+ 75.5 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFBE30PBF Виробник : INTERNATIONAL RECTIFIER 91118.pdf N-Channel MOSFET, 800V, 3 Ohm 4.1A, TO220, Pb-Free
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+48.6 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFBE30PBF 91118.pdf IRFBE30PBF Транзисторы
на замовлення 11 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRFBE30PBF- Виробник : VIS 09+ SOP8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)