IRFBF30 Siliconix
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 50.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFBF30 Siliconix
Description: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFBF30
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFBF30 Код товару: 18169 |
Виробник : IR |
 Транзистори > Польові N-канальніUds,V: 900 V Idd,A: 3,6 A Rds(on), Ohm: 3,7 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1200/78 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|
 |
IRFBF30 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|
 |
IRFBF30 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
 |
IRFBF30 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFBF30PBF |
товар відсутній |