IRFR024NTRPBF
у наявності 281 шт:
226 шт - склад
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Харків
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 24 грн |
10+ | 21.6 грн |
100+ | 18.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR024NTRPBF IR
- MOSFET
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N Channel
- Drain Source Voltage, Vds:55V
- Continuous Drain Current, Id:17A
- On Resistance, Rds(on):75mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
- Package/Case:DPAK
Інші пропозиції IRFR024NTRPBF за ціною від 13.85 грн до 76.58 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFR024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRFR024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V |
на замовлення 164000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRFR024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRFR024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRFR024NTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm |
на замовлення 124295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRFR024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V |
на замовлення 164098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRFR024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRFR024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRFR024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 16A 75mOhm 13.3nC |
на замовлення 52401 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRFR024NTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK Mounting: SMD Power dissipation: 38W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Case: DPAK Drain-source voltage: 55V Drain current: 16A Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 11947 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRFR024NTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm |
на замовлення 124295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRFR024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 50837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRFR024NTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK Mounting: SMD Power dissipation: 38W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Case: DPAK Drain-source voltage: 55V Drain current: 16A Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11947 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRFR024NTRPBF | Виробник : Infineon | Транз. Пол. БМ N-HEXFET D-PAK Udss=55V; Id=17A; Pdmax=45W; Rds=0,075 Ohm |
на замовлення 1765 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRFR024NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
З цим товаром купують
IRFR9024NTRPBF Код товару: 23070 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 11 А
Rds(on),Om: 0,175 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 11 А
Rds(on),Om: 0,175 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
Монтаж: SMD
у наявності: 970 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 16.5 грн |
10+ | 14.9 грн |
100+ | 13.4 грн |
IRLR024NTRPBF Код товару: 22061 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 3288 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 15 грн |
10+ | 12.5 грн |
100+ | 11.9 грн |
IRLR2905Z Код товару: 4031 |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1570/23
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1570/23
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 308 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 46.5 грн |
10+ | 37.4 грн |
IRLML2803TRPBF Код товару: 27051 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 1,2 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 85/3,3
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 1,2 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 85/3,3
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 2184 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 5 грн |
10+ | 4.5 грн |
100+ | 4.1 грн |
1000+ | 3.7 грн |
SG3525AP Код товару: 29169 |
Виробник: ST
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SO-16
Призначення і характеристики: PWM Controllers 2виходу
Напруга вхідна, V: 40 V
Iвых., A: 0,5 A
Fosc, kHz: 400 kHz
Темп.діапазон: -25…+85°C
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SO-16
Призначення і характеристики: PWM Controllers 2виходу
Напруга вхідна, V: 40 V
Iвых., A: 0,5 A
Fosc, kHz: 400 kHz
Темп.діапазон: -25…+85°C
у наявності: 150 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 38 грн |
10+ | 35.2 грн |
100+ | 31.7 грн |