IRFR3607PBF


irfr3607pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631463620a7
Код товару: 75593
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR3607PBF

  • MOSFET, N, D-PAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:75V
  • Cont Current Id:56A
  • On State Resistance:7.34mohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:DPAK
  • Termination Type:SMD
  • Power Dissipation:140W
  • Pulse Current Idm:310A
  • Transistor Case Style:D-PAK

Інші пропозиції IRFR3607PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFR3607PBF IRFR3607PBF Виробник : Infineon Technologies irfr3607pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631463620a7 Description: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
товар відсутній
IRFR3607PBF IRFR3607PBF Виробник : Infineon / IR Infineon_IRFR3607_DataSheet_v01_01_EN-1228495.pdf MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 56nC
товар відсутній