IRFR3607TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 44.1 грн |
4000+ | 43.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR3607TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IRFR3607TRPBF за ціною від 42.3 грн до 128.28 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFR3607TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR3607TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR3607TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 12400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR3607TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR3607TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 0.00734 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Anzahl der Pins: 3Pins productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00734ohm |
на замовлення 13860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR3607TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR3607TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR3607TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 56A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V |
на замовлення 16988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR3607TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg |
на замовлення 10599 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR3607TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR3607TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR3607TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 0.00734 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Anzahl der Pins: 3Pins productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00734ohm |
на замовлення 13860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR3607TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRFR3607TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRFR3607TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRFR3607TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; DPAK Kind of package: reel Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: DPAK Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRFR3607TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; DPAK Kind of package: reel Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: DPAK Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |