IRFR3806TRPBF
у наявності 165 шт:
130 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 43 грн |
10+ | 36.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFR3806TRPBF за ціною від 24 грн до 96.79 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFR3806TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR3806TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR3806TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR3806TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR3806TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR3806TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0126 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm |
на замовлення 10658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR3806TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR3806TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR3806TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Power dissipation: 71W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Case: DPAK Drain-source voltage: 60V Drain current: 43A Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 1509 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR3806TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg |
на замовлення 33516 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR3806TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Power dissipation: 71W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Case: DPAK Drain-source voltage: 60V Drain current: 43A Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1509 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR3806TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR3806TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0126 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm |
на замовлення 10658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR3806TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V |
на замовлення 48556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR3806TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 17890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR3806TRPBF | Виробник : Infineon | Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO-252-3 (DPAK) Udss=60V; Id=43 A; Pdmax=71 W; Rds=0,0126 Ohm |
на замовлення 868 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR3806TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRFR3806TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
З цим товаром купують
100uF 50V EXR 10x12mm (low imp.) (EXR101M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 2439 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х12mm
Строк життя: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х12mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 2072 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 3.5 грн |
10+ | 3 грн |
100+ | 2.6 грн |
1000+ | 2.2 грн |
MER 470nF 100V K(+/-10%), P=10mm; 7x12,5x13mm (MER474K2ABA-Hitano) (конденсатор плівковий) Код товару: 2899 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Плівкові конденсатори
Ємність: 470 nF
Ном.напруга: 100 VDC
Точність: ±10% K
Крок виводів: 10 mm
Діелектрик: Поліестер
Розмір корпуса: 9x14,5x14 mm
Part Number: MER474K2AB
Конденсатори > Плівкові конденсатори
Ємність: 470 nF
Ном.напруга: 100 VDC
Точність: ±10% K
Крок виводів: 10 mm
Діелектрик: Поліестер
Розмір корпуса: 9x14,5x14 mm
Part Number: MER474K2AB
у наявності: 858 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 4.5 грн |
10+ | 4.1 грн |
100+ | 3.7 грн |
100nF 16V X7R 10% 0805, 4k/reel (C0805B104K160NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 3222 |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 16 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 16 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 5138 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 1.7 грн |
100+ | 1.5 грн |
1000+ | 1.1 грн |
360 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-360K-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 3655 |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 360 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 360 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 70515 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 0.12 грн |
1000+ | 0.09 грн |
10000+ | 0.07 грн |
10 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-10KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 3693 |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 5461 шт
очікується:
80000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 0.12 грн |
1000+ | 0.09 грн |
10000+ | 0.07 грн |