IRFR4620PBF

IRFR4620PBF


irfr4620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356323ae920f7
Код товару: 37550
Виробник: IR
Uds,V: 200 V
Idd,A: 24 A
Rds(on), Ohm: 0,064 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1710/25
Монтаж: SMD
у наявності 30 шт:

15 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Одеса
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
1+110 грн
10+ 99 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR4620PBF IR

  • MOSFET,N-CH 200V 24A DPAK
  • Transistor Type:Power MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:200V
  • Cont Current Id:15A
  • On State Resistance:78mohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:5V
  • Case Style:D-PAK
  • Termination Type:SMD
  • Operating Temperature Range:-55`C to +175`C
  • Max Voltage Vgs th:5V
  • No. of Pins:3
  • Power Dissipation Pd:144W
  • Transistor Case Style:D-PAK

Інші пропозиції IRFR4620PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFR4620PBF IRFR4620PBF Виробник : Infineon Technologies irfr4620pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товар відсутній
IRFR4620PBF IRFR4620PBF Виробник : Infineon Technologies irfr4620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356323ae920f7 Description: MOSFET N-CH 200V 24A D-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
товар відсутній
IRFR4620PBF IRFR4620PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR4620_DataSheet_v01_01_EN-3363320.pdf MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 78mOhms 25nC
товар відсутній
IRFR4620PBF IRFR4620PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr4620pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 144W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Power dissipation: 144W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній

З цим товаром купують

3,3nF 400VAC Y5U M(+/-20%) Dmax=14mm (JD332MY5UY1-A2-Hitano)
Код товару: 3176
C07-MultiCap1.pdf
3,3nF 400VAC Y5U M(+/-20%) Dmax=14mm (JD332MY5UY1-A2-Hitano)
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Високовольтні керамічні конденсатори
Ємність: 3,3 nF
Номін.напруга: 400 VAC
ТКЕ: Y5U
Точність: ±20% M
Габарити: Dmax=14 mm
Part Number: JD332MY5UY1
Клас: Y1
у наявності: 3 шт
очікується: 1000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+7 грн
10+ 6.3 грн
100+ 5.5 грн
1000+ 4.9 грн
100uF 160V ECR 16x26mm (ECR101M2CB-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 2978
ECR_081225.pdf
100uF 160V ECR 16x26mm (ECR101M2CB-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 160 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -25...+85°C
Габарити: 16х26mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 92 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+12.5 грн
10+ 11.2 грн
BAW56
Код товару: 2041
BAW56.pdf
BAW56
Виробник: YJ/NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: SOT-23
Uзвор., V: 75 V
Iвипр., A: 0,215 A
Опис: Здвоєний, загальний анод, Швидкий
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1,25 V
у наявності: 3907 шт
Кількість Ціна без ПДВ
4+1.5 грн
10+ 0.9 грн
100+ 0.8 грн
1000+ 0.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
VCR-07D680K (S07K40,TVR07680,GNR-07D680K) (варистор)
Код товару: 1995
VCR-07D_081201.pdf
VCR-07D680K (S07K40,TVR07680,GNR-07D680K) (варистор)
Виробник: Hitano
Пасивні компоненти > Варистори
Uроб AC/DC, V: 40/56 V
Uвар, V: 68(61...75) V
Макс. напруга і струм спрацьовування, В@A: 135@2,5 В@A
Iмакс.(8/20мкс): 250 Iмакс.(8/20мкс)
Потужність, W: 0,02 W
Ємність, pF: 740 pF
Розмір: 7D
у наявності: 929 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+3.5 грн
10+ 3 грн
100+ 2.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
BZV55-C8V2
Код товару: 1603
BZV55.pdf
BZV55-C8V2
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації, Vz: 8,2 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 4.6mV/K
у наявності: 18588 шт
Кількість Ціна без ПДВ
3+2 грн
10+ 1.4 грн
100+ 1 грн
1000+ 0.8 грн
Мінімальне замовлення: 3