IRFR5410TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 38.32 грн |
| 6000+ | 35.15 грн |
| 10000+ | 33.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR5410TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR5410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 66W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm.
Інші пропозиції IRFR5410TRPBF за ціною від 20.64 грн до 114.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR5410TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFR5410TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR5410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm |
на замовлення 43057 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR5410TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 14178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFR5410TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -13A Power dissipation: 66W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
на замовлення 3666 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR5410TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR5410TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V |
на замовлення 15200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR5410TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFR5410TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 205mOhms 70nC |
на замовлення 11100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR5410TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -13A Power dissipation: 66W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3666 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR5410TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR5410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm |
на замовлення 43057 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRFR5410TRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 13 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 760; Qg, нКл = 58 @ 10 В; Rds = 205 мОм @ 7,8 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 66; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; D-PAK |
на замовлення 693 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| IRFR5410TRPBF | Виробник : Infineon |
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D-PAK Udss=-100V; Id=-13A; Pdmax=66W; Rds=0,205 Ohm |
на замовлення 50 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
IRFR5410TRPBF Код товару: 185744 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||
 |
IRFR5410TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
IRFR5410TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |