на замовлення 4815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
21+ | 15.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR9024PBF Vishay
Description: MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFR9024PBF за ціною від 26.19 грн до 122.99 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFR9024PBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -5.6A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1690 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR9024PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 4810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR9024PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR9024PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 1425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR9024PBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -5.6A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1690 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR9024PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 4815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR9024PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR9024PBF | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFET P-Chan 60V 8.8 Amp |
на замовлення 4285 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR9024PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR9024PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.8 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm |
на замовлення 3571 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR9024PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V |
на замовлення 3814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR9024PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |