Продукція > VISHAY > IRFR9024TRPBF
IRFR9024TRPBF

IRFR9024TRPBF Vishay


sihfr902.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+32.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR9024TRPBF Vishay

Description: VISHAY - IRFR9024TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.8 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm.

Інші пропозиції IRFR9024TRPBF за ціною від 28.86 грн до 84.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFR9024TRPBF IRFR9024TRPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr902.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+33.73 грн
6000+ 30.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR9024TRPBF IRFR9024TRPBF Виробник : Vishay sihfr902.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+35.36 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR9024TRPBF IRFR9024TRPBF Виробник : Vishay sihfr902.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
171+66.89 грн
173+ 66.22 грн
193+ 59.48 грн
250+ 56.78 грн
500+ 45.15 грн
1000+ 31.08 грн
Мінімальне замовлення: 171
IRFR9024TRPBF IRFR9024TRPBF Виробник : Vishay sihfr902.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+74.53 грн
10+ 62.11 грн
25+ 61.49 грн
100+ 53.26 грн
250+ 48.82 грн
500+ 40.25 грн
1000+ 28.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFR9024TRPBF IRFR9024TRPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfr902.pdf MOSFET 60V P-CH HEXFET MOSFET D
на замовлення 10837 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+76.57 грн
10+ 63.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFR9024TRPBF IRFR9024TRPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfr902.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 9630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.05 грн
10+ 64.24 грн
100+ 49.97 грн
500+ 39.74 грн
1000+ 32.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR9024TRPBF IRFR9024TRPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013857049-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR9024TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.8 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+84.35 грн
12+ 66.3 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRFR9024TRPBF IRFR9024TRPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013857049-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR9024TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.8 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFR9024TRPBF IRFR9024TRPBF Виробник : Vishay sihfr902.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR9024TRPBF IRFR9024TRPBF Виробник : VISHAY sihfr902.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFR9024TRPBF IRFR9024TRPBF Виробник : VISHAY sihfr902.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній