IRFU5305PBF Infineon Technologies
на замовлення 11096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 21.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFU5305PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFU5305PBF за ціною від 24.44 грн до 96.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFU5305PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFU5305PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFU5305PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 42242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFU5305PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFU5305PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFU5305PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 11084 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFU5305PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 31A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
на замовлення 5856 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFU5305PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT P-Ch -55V -28A 65mOhm 42nC |
на замовлення 23585 шт: термін постачання 107-116 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFU5305PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 11096 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFU5305PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFU5305PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 22 A, 0.065 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm |
на замовлення 3004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFU5305PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -28A Power dissipation: 89W Case: IPAK Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2331 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFU5305PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -28A Power dissipation: 89W Case: IPAK Mounting: THT Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2331 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
;;3.jpg "IRFU5305PBF") |
IRFU5305PBF Код товару: 26942 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|