IRFZ24NPBF Infineon Technologies
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 12.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFZ24NPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFZ24NPBF за ціною від 15.12 грн до 66.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFZ24NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 22455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFZ24NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFZ24NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFZ24NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFZ24NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRFZ24NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 55V 17A 70mOhm 13.3nC |
на замовлення 54 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFZ24NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFZ24NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRFZ24NPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFZ24NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.07 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRFZ24NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 17A Power dissipation: 45W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 13.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 535 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFZ24NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 17A Power dissipation: 45W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 13.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 535 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| IRFZ24NPBF | Виробник : INTERNATIONAL RECTIFIER |
MOSFET N-CH 55V 17A TO-220AB |
на замовлення 8 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| IRFZ24NPBF | Виробник : IR |
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO-220AB Udss=55V; Id=17A; Pdmax=45W; Rds=0,07 Ohm |
на замовлення 203 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
 |
IRFZ24NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 17A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V |
товар відсутній |