IRG4BC30UDPBF

Виробник: IR
Транз. IGBT TO220AB Uces=600V; Ic=23A; Ic=12A(100°C); Pdmax=100W; (с диодом)

на замовлення 4 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	160.24 грн
10+	131.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRG4BC30UDPBF IR

Description: IGBT 600V 23A 100W TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 42 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A, Supplier Device Package: TO-220AB, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/91ns, Switching Energy: 380µJ (on), 160µJ (off), Test Condition: 480V, 12A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 50 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 23 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 92 A, Power - Max: 100 W.

Інші пропозиції IRG4BC30UDPBF

Назва	Виробник	Інформація	Доступність
IRG4BC30UDPBF Код товару: 139998		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3	товар відсутній
IRG4BC30UDPBF	Виробник : Infineon Technologies	Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube	товар відсутній
IRG4BC30UDPBF	Виробник : INFINEON	Description: INFINEON - IRG4BC30UDPBF - IGBT, 23 A, 2.52 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s) MSL: - Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.52 Verlustleistung Pd: 100 Bauform - Transistor: TO-220AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 23 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)	товар відсутній
IRG4BC30UDPBF	Виробник : Infineon Technologies	Description: IGBT 600V 23A 100W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 40ns/91ns Switching Energy: 380µJ (on), 160µJ (off) Test Condition: 480V, 12A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 50 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 23 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 92 A Power - Max: 100 W	товар відсутній
IRG4BC30UDPBF	Виробник : Infineon / IR	IGBT Transistors 600V UltraFast 8-60kHz	товар відсутній