IRLL014NTRPBF Infineon Technologies
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 9.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLL014NTRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRLL014NTRPBF за ціною від 12.78 грн до 55.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLL014NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V |
на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRLL014NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRLL014NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRLL014NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRLL014NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRLL014NTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 2A; 2.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 2A Power dissipation: 2.1W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 2632 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRLL014NTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm |
на замовлення 12981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRLL014NTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 2A; 2.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 2A Power dissipation: 2.1W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2632 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRLL014NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRLL014NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V |
на замовлення 31597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRLL014NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRLL014NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 55V 2A 140mOhm 9.5nC LogLvl |
на замовлення 142453 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRLL014NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRLL014NTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm |
на замовлення 12981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| IRLL014NTRPBF | Виробник : INTERNATIONAL RECTIFIER |
n-Ch, 55V, 0.14, SOT223, Pb-Free |
на замовлення 183 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| IRLL014NTRPBF | Виробник : IR |
Транз. Пол. ММ N-HEXFET logik SOT223 Udss=55V; Id=2A; Pdmax=2,1W; Rds=0,14 Ohm |
на замовлення 1105 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| IRLL014NTRPBF |
IRLL014NTRPBF Транзисторы MOS FET Small Signal |
на замовлення 4526 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||||
 |
IRLL014NTRPBF Код товару: 75405 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|