на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 13.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLR110TRPBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRLR110TRPBF за ціною від 21.34 грн до 59.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLR110TRPBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRLR110TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRLR110TRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRLR110TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRLR110TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRLR110TRPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR110TR |
на замовлення 29865 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRLR110TRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V |
на замовлення 18621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRLR110TRPBF Код товару: 61266 |
Мікросхеми > Інші мікросхеми 8542 39 90 00 |
товар відсутній
|
||||||||||||||
|
|
IRLR110TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IRLR110TRPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.7A Pulsed drain current: 17A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IRLR110TRPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.7A Pulsed drain current: 17A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
товар відсутній |