IRLZ34NSTRLPBF

IRLZ34NSTRLPBF Infineon Technologies


irlz34ns.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 38400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLZ34NSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 68W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm.

Інші пропозиції IRLZ34NSTRLPBF за ціною від 32.19 грн до 143.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 38400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+35.31 грн
1600+ 32.95 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 38400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+35.51 грн
1600+ 33.15 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722 Description: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 29600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+48.77 грн
1600+ 38.25 грн
2400+ 36.01 грн
5600+ 32.19 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : INFINEON 107911.pdf Description: INFINEON - IRLZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 15953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+54.35 грн
250+ 49.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
137+83.7 грн
177+ 64.75 грн
500+ 58.06 грн
800+ 43.22 грн
Мінімальне замовлення: 137
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722 Description: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 29908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+90.62 грн
10+ 71.25 грн
100+ 55.4 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
125+91.87 грн
134+ 85.77 грн
157+ 73.19 грн
200+ 67.27 грн
500+ 57.44 грн
1000+ 46.4 грн
Мінімальне замовлення: 125
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+92.56 грн
10+ 77.72 грн
100+ 60.13 грн
500+ 51.99 грн
800+ 37.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
123+93.69 грн
131+ 87.49 грн
154+ 74.53 грн
200+ 68.56 грн
500+ 58.54 грн
1000+ 47.3 грн
1600+ 46.64 грн
3200+ 44.28 грн
Мінімальне замовлення: 123
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLZ34NS_DataSheet_v01_01_EN-3363701.pdf MOSFET MOSFT 55V 30A 35mOhm 16.7nC LogLvl
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+96.19 грн
10+ 78.13 грн
100+ 52.77 грн
500+ 47.95 грн
800+ 34.96 грн
2400+ 33.84 грн
4800+ 32.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
114+100.75 грн
119+ 96.24 грн
250+ 92.38 грн
500+ 85.87 грн
1000+ 76.91 грн
Мінімальне замовлення: 114
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : INFINEON 107911.pdf Description: INFINEON - IRLZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 15953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+102.85 грн
10+ 79.91 грн
50+ 69.26 грн
100+ 54.35 грн
250+ 49.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRLZ34NSTRLPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722 N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 30 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 880 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 5 В; Rds = 35 мОм @ 16 A, 10 В; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,8; 68; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; D2PAK
на замовлення 11 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+143.63 грн
10+ 134.05 грн
100+ 124.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRLZ34NSTRLPBF
Код товару: 172480
irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722 Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRLZ34NSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 21A; Idm: 110A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRLZ34NSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 21A; Idm: 110A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній