Продукція > IXYS SEMICONDUCTOR > IXFH24N50
IXFH24N50

IXFH24N50 IXYS SEMICONDUCTOR

42410.pdf Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH24N50 - Leistungs-MOSFET, HiPerFET, n-Kanal, 500 V, 24 A, 0.23 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+546.67 грн
5+ 535.75 грн
10+ 524.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH24N50 IXYS SEMICONDUCTOR

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH24N50 - Leistungs-MOSFET, HiPerFET, n-Kanal, 500 V, 24 A, 0.23 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

Інші пропозиції IXFH24N50

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFH24N50 Виробник : IXYS 91525.pdf MODULE
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFH24N50 IXFH24N50
Код товару: 76962 		91525.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IXFH24N50 IXFH24N50 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH Si 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH24N50 IXFH24N50 Виробник : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH Si 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH24N50 IXFH24N50 Виробник : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH Si 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH24N50 IXFH24N50 Виробник : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH Si 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH24N50 IXFH24N50 Виробник : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH Si 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH24N50 IXFH24N50 Виробник : IXYS 91525.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 24A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH24N50 IXFH24N50 Виробник : IXYS media-3320472.pdf MOSFET 500V 24A
товар відсутній