JANTX2N5339

JANTX2N5339 Microchip / Microsemi


LDS_0011-1593797.pdf Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
на замовлення 161 шт:

термін постачання 51-60 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+772.86 грн
100+ 707.4 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JANTX2N5339 Microchip / Microsemi

Description: TRANS NPN 100V 5A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1 W, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500/560.

Інші пропозиції JANTX2N5339

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
JANTX2N5339 JANTX2N5339 Виробник : Microchip Technology lds-0011.pdf Trans GP BJT NPN 100V 5A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
JANTX2N5339 Виробник : MOT 2N5339.pdf 8813-lds-0011-datasheet
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
JANTX2N5339 JANTX2N5339 Виробник : MACOM Technology Solutions 2N5339.pdf Description: TRANS NPN 100V 5A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/560
товар відсутній
JANTX2N5339 JANTX2N5339 Виробник : Microchip Technology 8813-lds-0011-datasheet Description: TRANS NPN 100V 5A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній