KSD1616AGBU ON Semiconductor
на замовлення 6421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
855+ | 13.46 грн |
1424+ | 8.08 грн |
1652+ | 6.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSD1616AGBU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - KSD1616AGBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 750 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750mW, Bauform - Transistor: TO-226AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 160MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції KSD1616AGBU за ціною від 5.1 грн до 28.08 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
KSD1616AGBU | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 6421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
KSD1616AGBU | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
KSD1616AGBU | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSD1616AGBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 750 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 9575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
KSD1616AGBU | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 1A TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 750 mW |
на замовлення 38522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
KSD1616AGBU | Виробник : onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil |
на замовлення 3378 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
KSD1616AGBU | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
KSD1616AGBU | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
KSD1616AGBU | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag |
товар відсутній |