MJD117G ON Semiconductor
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 22.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD117G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJD117G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 2A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MJD117G за ціною від 19.67 грн до 65.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD117G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD117G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V Frequency - Transition: 25MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 1499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD117G | Виробник : onsemi |
Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP |
на замовлення 1989 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD117G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD117G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s) tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 2A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2933 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD117G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
MJD117G Код товару: 79758 |
Виробник : ON |
Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-252 Uке, В: 100 V Uкб, В: 100 V Iк, А: 2 A |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
|
MJD117G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
товар відсутній |